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BSL211SP L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫欧 @ 4.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12.4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：654pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：PG-TSOP6-6; 包装：剪切带 (CT)

BSL211SP L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫欧 @ 4.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12.4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：654pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：PG-TSOP6-6; 包装：带卷 (TR)

BSL211SP L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫欧 @ 4.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12.4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：654pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：PG-TSOP6-6; 包装：Digi-Reel®

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